氧化亞硅真空蒸餾爐

設(shè)備用途：氧化亞硅氣相沉積包覆爐，是利用真空蒸鍍法將粉碎后的所得元素?fù)诫s金屬硅與二氧化硅通過真空蒸鍍工藝，制得元素?fù)诫s氧化亞硅。

設(shè)備特點：

1、本公司自行設(shè)計生產(chǎn)的氧化亞硅氣相沉積包覆爐有兩種加熱方式（感應(yīng)加熱、電阻加熱和中頻感應(yīng)加熱），內(nèi)部各溫區(qū)溫差在±5℃以內(nèi)，能有效保證物料在內(nèi)腔內(nèi)的反應(yīng)溫度均勻。加熱端溫度≤1400℃，收集區(qū)溫度≤900℃。能充分滿足客戶用于氧化亞硅等可氣相沉積材料的燒結(jié)工藝。

2、設(shè)備采用熱電偶接觸式測溫控溫精度高，高溫真空度好，物料收集率高，具備物料烘干、燒結(jié)、收集于一體等特點，其物料反應(yīng)充分、收集率高等特點。

3、真空采用三級真空機(jī)組，油擴(kuò)散泵+羅茨泵+機(jī)械泵+真空閥門，以及我公司自行生產(chǎn)設(shè)計的真空過濾系統(tǒng)組成，具有真空度高，設(shè)備能在高溫、高真空環(huán)境中長期使用。

設(shè)備常用尺寸規(guī)格：